MRF6VP41KHSR5、MRFE6VP61K25HSR5、MRFE6VP61K25HR6对比区别

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型号 MRF6VP41KHSR5 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25HR6

描述 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-500MHz, 1000W, 50VNXP MRFE6VP61K25HSR5 RF FET Transistor, 125V, 100mA, 1.333kW, 1.8MHz, 600MHz, NI-1230S晶体管, 射频FET, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 4 5

封装 NI-1230S NI-1230-4S NI-1230

频率 450 MHz 230 MHz 230 MHz

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

耗散功率 - 1.333 kW 1.333 kW

漏源极电压(Vds) - 125 V -

输出功率 1000 W 1250 W 1250 W

增益 20 dB 24 dB 24 dB

测试电流 150 mA 100 mA 100 mA

输入电容(Ciss) 506pF @50V(Vds) 562pF @50V(Vds) 562pF @50V(Vds)

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压 110 V 133 V 133 V

电源电压 - 50 V 50 V

额定电流 5 mA - -

针脚数 - - 4

封装 NI-1230S NI-1230-4S NI-1230

重量 - 8488.4 mg -

工作温度 -65℃ ~ 225℃ -65℃ ~ 225℃ -65℃ ~ 225℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99