APT25GT120BRDQ2G、IRG7PH35UPBF对比区别

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型号 APT25GT120BRDQ2G IRG7PH35UPBF

描述 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power ModulesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 55A 210000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) International Rectifier (国际整流器)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 1.20 kV -

额定电流 54.0 A -

耗散功率 347000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V

额定功率(Max) 347 W 210 W

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 347000 mW -

产品系列 - IRG7PH35U

封装 TO-247-3 TO-247-3

宽度 - 5.31 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

ECCN代码 EAR99 -