APT25GT120BRDQ2G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT25GT120BRDQ2G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 54.0 A
耗散功率 347000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 347 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 347000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
APT25GT120BRDQ2G引脚图与封装图
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在线购买APT25GT120BRDQ2G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT25GT120BRDQ2G | Microsemi 美高森美 | 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules | 搜索库存 |
替代型号APT25GT120BRDQ2G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT25GT120BRDQ2G 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 1.2kV 54A 347000mW | 当前型号 | 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules | 当前型号 |
| 型号： IRG7PH35UPBF 品牌： 国际整流器 封装： TO-247-3 | 功能相似 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 55A 210000mW 3Pin3+Tab TO-247AC Tube | APT25GT120BRDQ2G和IRG7PH35UPBF的区别 |