APT25GT120BRDQ2G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 54.0 A
耗散功率 347000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 347 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 347000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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APT25GT120BRDQ2G | Microsemi 美高森美 | 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: APT25GT120BRDQ2G 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-247 1.2kV 54A 347000mW | 当前型号 | 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules | 当前型号 | |
型号: IRG7PH35UPBF 品牌: 国际整流器 封装: TO-247-3 | 功能相似 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 55A 210000mW 3Pin3+Tab TO-247AC Tube | APT25GT120BRDQ2G和IRG7PH35UPBF的区别 |