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LME49721MA/NOPB、TSV912IDT、TSV992IDT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LME49721MA/NOPB TSV912IDT TSV992IDT

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LME49721MA/NOPB  运算放大器, 20 MHz, 2个放大器, 8.5 V/µs, 2.2V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚STMICROELECTRONICS  TSV912IDT  运算放大器, 双路, 8 MHz, 2个放大器, 4.5 V/µs, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚TSV992 系列 5.5 V 20 MHz 轨对轨输入/输出 运算放大器 - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

输出电流 9.70 mA 35 mA 35mA @5V

供电电流 2.15 mA 820 µA 820 µA

电路数 1 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 -

共模抑制比 70 dB 82 dB 82 dB

带宽 20 MHz 8 MHz -

转换速率 8.50 V/μs 4.50 V/μs -

增益频宽积 20 MHz 8 MHz 20 MHz

输入补偿电压 300 µV 100 µV 100 µV

输入偏置电流 0.04 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 20 MHz 8 MHz 20 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB 62 dB 62 dB

电源电压 2.2V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) - 2.5 V 2.5 V

长度 4.9 mm 5 mm 5 mm

宽度 3.9 mm 4 mm 4 mm

高度 1.45 mm 1.25 mm 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99