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TL061ACDT、TL061CD、TL061ACD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL061ACDT TL061CD TL061ACD

描述 Low input current (200pA), low power (200uA) 35V JFET Op-Amp, singleTEXAS INSTRUMENTS  TL061CD  运算放大器, 单路, 1 MHz, 1个放大器, 3.5 V/µs, 7V 至 36V, SOIC, 8 引脚低功率J-FET单路运算放大器 LOW POWER J-FET SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIER

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 200 µA 200 µA 200 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 -

耗散功率 680 mW 6 mW 680 mW

转换速率 3.50 V/μs 3.50 V/μs 3.50 V/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1 MHz

输入补偿电压 3 mV 3 mV 3 mV

输入偏置电流 30 pA 30 pA 30 pA

工作温度(Max) 105 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 0 ℃

耗散功率(Max) 680 mW - 680 mW

共模抑制比(Min) 80 dB 70 dB 80 dB

电源电压(DC) - 15.0 V -

工作电压 - 7V ~ 36V -

针脚数 - 8 -

共模抑制比 - 70 dB -

输入补偿漂移 - 10.0 µV/K -

带宽 - 1 MHz -

增益带宽 - 1 MHz -

电源电压 - 7V ~ 36V -

电源电压(Max) - 36 V -

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.91 mm 4 mm

高度 - 1.58 mm 1.65 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - -