TL061ACDT中文资料参数规格
技术参数
供电电流 200 µA
电路数 1
通道数 1
耗散功率 680 mW
转换速率 3.50 V/μs
增益频宽积 1 MHz
输入补偿电压 3 mV
输入偏置电流 30 pA
工作温度Max 105 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 680 mW
共模抑制比Min 80 dB
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
外形尺寸
封装 SO-8
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
TL061ACDT引脚图与封装图
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在线购买TL061ACDT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TL061ACDT | ST Microelectronics 意法半导体 | Low input current 200pA, low power 200uA 35V JFET Op-Amp, single | 搜索库存 |
替代型号TL061ACDT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TL061ACDT 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SOIC 1MHz 1Channel 8Pin | 当前型号 | Low input current 200pA, low power 200uA 35V JFET Op-Amp, single | 当前型号 |
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| 型号： TL061ACD 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 1MHz 1Channel 8Pin | 功能相似 | TEXAS INSTRUMENTS TL061ACD 运算放大器, 单路, 1 MHz, 1个放大器, 3.5 V/µs, 7V 至 36V, SOIC, 8 引脚 | TL061ACDT和TL061ACD的区别 |