BD237、BD237G对比区别
型号 BD237 BD237G
描述 功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICONON SEMICONDUCTOR BD237G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 3 MHz, 25 W, 2 A, 3 hFE
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 晶体管双极性晶体管
引脚数 3 3
封装 TO-225-3 TO-126-3
安装方式 - Through Hole
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V
额定电流 2.00 A 2.00 A
极性 NPN NPN
耗散功率 25 W 25 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V
集电极最大允许电流 2A 2A
最小电流放大倍数(hFE) 40 25 @1A, 2V
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 25000 mW 25000 mW
频率 - 3 MHz
额定功率 - -
针脚数 - 3
增益频宽积 - -
额定功率(Max) - 25 W
直流电流增益(hFE) - 3
长度 7.74 mm -
宽度 2.66 mm -
高度 11.04 mm -
封装 TO-225-3 TO-126-3
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Box Bulk
最小包装 500 -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
材质 - -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃
ECCN代码 - EAR99