锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

TPS2812P、TPS2812PE4、TPS2812PG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TPS2812P TPS2812PE4 TPS2812PG4

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TPS2812P  双路芯片, MOSFET, 高压侧, 4V-14V电源, 2A输出, 25ns延迟, DIP-8双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERSIc Dual Hs Mosfet Drvr 8-Dip

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 -

封装 PDIP-8 PDIP-8 DIP-8

电源电压(DC) 4.00V (min) 4.00V (min) -

上升/下降时间 14ns, 15ns 14ns, 15ns 14ns, 15ns

输出接口数 2 2 -

输出电流 2.00 A 2 A -

耗散功率 1.09 W 1090 mW -

上升时间 35 ns 14 ns -

下降时间 35 ns 15 ns -

下降时间(Max) 35 ns 35 ns -

上升时间(Max) 35 ns 35 ns -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 1090 mW 1090 mW -

电源电压 4V ~ 14V 4V ~ 14V 4V ~ 14V

电源电压(Max) 14 V 14 V -

电源电压(Min) 4 V 4 V -

输出电压 15.5 V - -

供电电流 5.00 mA - -

通道数 2 - -

针脚数 8 - -

封装 PDIP-8 PDIP-8 DIP-8

长度 9.81 mm - -

宽度 6.35 mm - -

高度 4.57 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -