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SN65LVDS100D、SN65LVDT101DR、SN65LVDS100DRG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SN65LVDS100D SN65LVDT101DR SN65LVDS100DRG4

描述 TEXAS INSTRUMENTS  SN65LVDS100D  芯片, 中继器 LVDS微分翻译/中继器 DIFFERENTIAL TRANSLATOR/REPEATER微分翻译/中继器 DIFFERENTIAL TRANSLATOR/REPEATER

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电压电平转换器接口芯片FlatLink类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 3.00V (min) 3.00V (min) 3.00V (min)

输出电流 12 µA 12.0 µA 12.0 µA

供电电流 25 mA 50 mA 25 mA

通道数 1 1 1

耗散功率 481 mW 481 mW 481 W

输入电容 .6 pF .6 pF .6 pF

输入电压(Max) 0.1 V 0.1 V -

输出电压(Max) 0.454 V 0.454 V -

输入电流(Min) 66 μA 33 μA 66 μA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 481 mW 481 mW 481 mW

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V -

电源电压(Min) 3 V 3 V -

针脚数 8 - -

数据速率 2.00 Gbps - -

上升时间 220 ps - -

输入电压(Min) 0.1 V - -

输入数 2 - -

下降时间 220 ps - -

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.91 mm 3.91 mm -

高度 1.58 mm 1.58 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

香港进出口证 - - NLR

ECCN代码 EAR99 - -