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BC328-25、KSD261、JAN2N2218A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC328-25 KSD261 JAN2N2218A

描述 Transistor: PNP; bipolar; 25V; 800mA; 625mW; TO92低频功率放大器 Low Frequency Power AmplifierNPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-92 TO-92 TO-39

耗散功率 625 mW - 0.8 W

增益频宽积 100 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) - 20 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 40 @150mA, 10V

额定功率(Max) - - 800 mW

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 800 mW

极性 - NPN -

集电极最大允许电流 - 0.5A -

封装 TO-92 TO-92 TO-39

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Ammo Pack - Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free

材质 - - Silicon

工作温度 - - -55℃ ~ 200℃ (TJ)