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JAN2N2218A

JAN2N2218A

数据手册.pdf

NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/251


艾睿:
Implement this versatile NPN JAN2N2218A GP BJT from Microsemi into an electronic circuit to be used as a current or voltage-controlled switch or amplifier. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 800 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.


Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag


JAN2N2218A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

JAN2N2218A引脚图与封装图
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JAN2N2218A Microsemi 美高森美 NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号JAN2N2218A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JAN2N2218A

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-39 800mW

当前型号

NPN开关晶体管硅 NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号： BCR133

品牌： 英飞凌

封装： SOT-23/SC-59 NPN

功能相似

InfineonInfineon 的一系列双极性结点晶体，配有集成电阻器，允许直接从数字来源驱动，无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。### 数字晶体管，Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

JAN2N2218A和BCR133的区别

型号： 2N1711

品牌： Multicomp

封装： TO-39 NPN 3W

功能相似

MULTICOMP  2N1711  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 70 MHz, 3 W, 500 mA, 35 hFE

JAN2N2218A和2N1711的区别

型号： 2N2218A

品牌： Multicomp

封装： TO-39 NPN 800mW

功能相似

MULTICOMP  2N2218A  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 800 mW, 800 mA, 20 hFE

JAN2N2218A和2N2218A的区别