PHB33NQ20T、PHB33NQ20T,118对比区别

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型号 PHB33NQ20T PHB33NQ20T,118

描述 N沟道的TrenchMOS ™标准水平FET N-channel TrenchMOS⑩ standard level FETMOSFET N-CH 200V 32.7A SOT404

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - -

封装 D2PAK TO-263-3

耗散功率 - 230W (Tc)

输入电容 - -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

上升时间 - -

输入电容(Ciss) - 1870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 230 W

下降时间 - -

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

耗散功率(Max) - 230W (Tc)

极性 N-CH -

连续漏极电流(Ids) 32.7A -

长度 - -

宽度 - -

高度 - -

封装 D2PAK TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free