PHB33NQ20T,118
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NXP
恩智浦
分立器件
PHB33NQ20T,118中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 230W Tc
漏源极电压Vds 200 V
输入电容Ciss 1870pF @25VVds
额定功率Max 230 W
耗散功率Max 230W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PHB33NQ20T,118引脚图与封装图
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在线购买PHB33NQ20T,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHB33NQ20T,118 | NXP 恩智浦 | MOSFET N-CH 200V 32.7A SOT404 | 搜索库存 |
替代型号PHB33NQ20T,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHB33NQ20T,118 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT404 | 当前型号 | MOSFET N-CH 200V 32.7A SOT404 | 当前型号 |
| 型号： PHB33NQ20T 品牌： 恩智浦 封装： D2PAK N-CH 200V 32.7A | 类似代替 | N沟道的TrenchMOS ™标准水平FET N-channel TrenchMOS⑩ standard level FET | PHB33NQ20T,118和PHB33NQ20T的区别 |