APT10M11B2VFR、APT10M11B2VFRG、CSD19533KCS对比区别

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型号 APT10M11B2VFR APT10M11B2VFRG CSD19533KCS

描述 N-CH 100V 100AMOSFET N-CH 100V 100A T-MAX100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533KCS

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-247-3 TO-220-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 100 A -

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 - 520W (Tc) 188 W

输入电容 - 10.3 nF -

栅电荷 - 450 nC -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 100A 100 A 100A

输入电容(Ciss) - 10300pF @25V(Vds) 2670pF @50V(Vds)

耗散功率(Max) - 520W (Tc) 188W (Tc)

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.0087 Ω

阈值电压 - - 2.8 V

上升时间 - - 5 ns

下降时间 - - 2 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 - TO-247-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active 正在供货

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15