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TLV274CD、TLV274ID、TLV274CDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV274CD TLV274ID TLV274CDR

描述 BiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列### 运算放大器,Texas InstrumentsTEXAS INSTRUMENTS  TLV274ID  运算放大器, 四路, 3 MHz, 4个放大器, 2.4 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOIC, 14 引脚550uA/通道3MHz轨至轨输出运算放大器

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 14 14

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

电源电压(DC) - 16.0 V -

输出电流 7mA @5V 7mA @5V -

供电电流 625 µA 625 µA 625 µA

电路数 4 4 4

通道数 4 4 4

针脚数 14 14 -

耗散功率 531 mW 531 mW 0.531 W

共模抑制比 65 dB 65dB ~ 80dB 65 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 2.4 MHz 3 MHz 3.00 MHz

转换速率 2.10 V/μs 2.10 V/μs 2.10 V/μs

增益频宽积 3 MHz 3 MHz 3 MHz

过温保护 No No No

输入补偿电压 500 µV 500 µV 500 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -

增益带宽 3 MHz 3 MHz 3 MHz

耗散功率(Max) 531 mW 531 mW 531 mW

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压(Max) 16 V 16 V -

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V -

电源电压 2.7V ~ 16V - -

长度 8.65 mm 8.65 mm -

宽度 3.91 mm 3.91 mm -

高度 1.58 mm 1.58 mm -

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -