FDA50N50、RF1S9630SM、STW26NM60N对比区别

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型号 FDA50N50 RF1S9630SM STW26NM60N

描述 N-沟道 500 V 0.12 Ω 法兰安装 SMPS 功率 Mosfet TO-2476.5A ， 200V ， 0.800欧姆，P沟道功率MOSFET 6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETsSTMICROELECTRONICS  STW26NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Intersil (英特矽尔) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-3-3 - TO-247-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.089 Ω - 0.135 Ω

耗散功率 625 W - 140 W

阈值电压 5 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 500 V - 600 V

上升时间 360 ns - 25 ns

输入电容(Ciss) 4979pF @25V(Vds) - 1800pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 625 W - 140 W

下降时间 230 ns - 50 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 625 W - 140W (Tc)

极性 - - N-Channel

输入电容 - - 1800 pF

连续漏极电流(Ids) - - 20A

长度 15.6 mm - 15.75 mm

宽度 4.8 mm - 5.15 mm

高度 19.9 mm - 20.15 mm

封装 TO-3-3 - TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Rail, Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

香港进出口证 - - NLR