RF1S9630SM
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Intersil
英特矽尔
电子元器件分类
RF1S9630SM中文资料参数规格
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
RF1S9630SM引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RF1S9630SM | Intersil 英特矽尔 | 6.5A ， 200V ， 0.800欧姆，P沟道功率MOSFET 6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs | 搜索库存 |
替代型号RF1S9630SM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： RF1S9630SM 品牌： Intersil 英特矽尔 封装： | 当前型号 | 6.5A ， 200V ， 0.800欧姆，P沟道功率MOSFET 6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs | 当前型号 |
| 型号： FDA50N50 品牌： 安森美 封装： TO-3P-3 | 功能相似 | N-沟道 500 V 0.12 Ω 法兰安装 SMPS 功率 Mosfet TO-247 | RF1S9630SM和FDA50N50的区别 |
| 型号： FQB7P20TM 品牌： 安森美 封装： D2PAK | 功能相似 | 增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | RF1S9630SM和FQB7P20TM的区别 |
| 型号： IRFU9214PBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： IPak | 功能相似 | Trans MOSFET P-CH 250V 2.7A 3Pin3+Tab IPAK | RF1S9630SM和IRFU9214PBF的区别 |
