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IRF4905STRLPBF、IRF4905STRRPBF、IRF4905SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF4905STRLPBF IRF4905STRRPBF IRF4905SPBF

描述 INFINEON  IRF4905STRLPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 74 A, -55 V, 20 mohm, 20 V, 4 VINFINEON  IRF4905STRRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -42 A, -55 V, 0.02 ohm, -10 V, -4 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF4905SPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, -55V, 42A, D2-PAK

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 20 mΩ 0.02 Ω 0.02 Ω

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 200 W 170 W 170 W

产品系列 - - IRF4905S

输入电容 3500pF @25V 3500 pF 3500pF @25V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 55 V 55 V -55.0 V

连续漏极电流(Ids) 74A 74A -42.0 A

输入电容(Ciss) 3500pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 170 W - 170 W

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定功率 200 W - -

通道数 1 1 -

阈值电压 4 V 4 V -

上升时间 99 ns 99 ns -

下降时间 64 ns 64 ns -

耗散功率(Max) 170W (Tc) 170W (Tc) -

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

宽度 9.65 mm 9.65 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99