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DS1245Y-100+、DS1245Y-70+、DS1245Y-100对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1245Y-100+ DS1245Y-70+ DS1245Y-100

描述 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-100+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-70+  芯片, 存储器, NVSRAM, 1024KB, 128KX8, 32EDIPIC NVSRAM 1Mbit 100NS 32DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

频率 100 GHz - -

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 32 32 -

时钟频率 100 GHz 70.0 GHz 100 GHz

存取时间 100 ns 70 ns 100 ns

内存容量 125000 B 125000 B 125000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V -

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V -

工作电压 - 5 V -

长度 44.2 mm 44.19 mm -

宽度 18.8 mm 18.8 mm -

高度 9.9 mm 10.92 mm -

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Each Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

香港进出口证 - NLR -