DS1245Y-100

Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

IC NVSRAM 1Mbit 100NS 32DIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 100ns 32-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP

罗切斯特:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP

DS1245Y-100中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 125000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DS1245Y-100引脚图与封装图

DS1245Y-100引脚图

DS1245Y-100封装图

DS1245Y-100封装焊盘图

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型号	制造商	描述	购买
DS1245Y-100	Maxim Integrated 美信	IC NVSRAM 1Mbit 100NS 32DIP	搜索库存

替代型号DS1245Y-100

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： DS1245Y-100 品牌： Maxim Integrated 美信封装： DIP 125000B 5V 100ns 32Pin	当前型号	IC NVSRAM 1Mbit 100NS 32DIP	当前型号
型号： DS1245Y-100+ 品牌：美信封装： DIP 125000B 5V 100ns 32Pin	完全替代	MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245Y-100+ 芯片, 存储器, NVRAM	DS1245Y-100和DS1245Y-100+的区别
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