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ZTX757、ZTX757STZ、BC549C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZTX757 ZTX757STZ BC549C

描述 DIODES INC.  ZTX757  单晶体管 双极, PNP, 300 V, 30 MHz, 1 W, 500 mA, 50 hFEZTX757 Series PNP Planar Medium Power Through Hole Bipolar Transistor - TO-92Low Noise Transistors

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Motorola (摩托罗拉)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 E-Line-3 E-Line -

频率 30 MHz - -

额定电压(DC) -300 V -300 V -

额定电流 -500 mA -500 mA -

针脚数 3 - -

极性 PNP PNP -

耗散功率 1 W 1000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 50 @100mA, 5V 50 @100mA, 5V -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

直流电流增益(hFE) 50 - -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

额定功率 - 1 W -

最大电流放大倍数(hFE) - 50 @100mA, 5V -

封装 E-Line-3 E-Line -

宽度 - 2.41 mm -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 200℃ -55℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -