SIR878DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0114 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 100 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIR878DP-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SIR878DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIR878DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N沟道100 V（ D- S）的MOSFET N-Channel 100 V D-S MOSFET | 搜索库存 |
替代型号SIR878DP-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIR878DP-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： N-Channel | 当前型号 | N沟道100 V（ D- S）的MOSFET N-Channel 100 V D-S MOSFET | 当前型号 |
| 型号： BSC123N10LSGATMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 100V 10.6A | 功能相似 | INFINEON BSC123N10LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 100 V, 10 mohm, 10 V, 1.85 V | SIR878DP-T1-GE3和BSC123N10LSGATMA1的区别 |