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PIMD3、PIMD3,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIMD3 PIMD3,115

描述 Small Signal Bipolar TransistorPIMD3 系列 NPN / PNP 50 V 100 mA 配备电阻 晶体管 -SOT-457

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 6

封装 - SOT-457-6

极性 - NPN+PNP

耗散功率 - 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V

集电极最大允许电流 - 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @5mA, 5V

额定功率(Max) - 600 mW

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

耗散功率(Max) - -

高度 - 1 mm

封装 - SOT-457-6

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - -