PIMD3,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PIMD3,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN+PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 600 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457-6
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-457-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PIMD3,115引脚图与封装图
暂无图片
替代型号PIMD3,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PIMD3,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT457 NPN PNP | 当前型号 | PIMD3 系列 NPN / PNP 50 V 100 mA 配备电阻 晶体管 -SOT-457 | 当前型号 |
| 型号： PIMD3 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor | PIMD3,115和PIMD3的区别 |