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BC857B、BC857BLT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC857B BC857BLT1G

描述 BC857B PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 250MHz 210~480 -650mV/-0.65V SOT-23/SMT3 marking/标记 G3F 开关/AF放大器ON SEMICONDUCTOR  BC857BLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23 SOT-23

额定功率 0.25 W -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V -45.0 V

最小电流放大倍数(hFE) 220 -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

耗散功率(Max) 330 mW -

频率 - -

耗散功率 - 300 mW

增益频宽积 - -

额定电压(DC) - -45.0 V

额定电流 - -100 mA

极性 - PNP, P-Channel

集电极最大允许电流 - 0.1A

长度 2.9 mm -

宽度 1.3 mm -

高度 1 mm -

封装 SOT-23 SOT-23

工作温度 150℃ (TJ) -

材质 - -

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

ECCN代码 - EAR99