MC1458DR、LM1458MX/NOPB、MC1458D对比区别

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型号 MC1458DR LM1458MX/NOPB MC1458D

描述 TEXAS INSTRUMENTS  MC1458DR  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.5 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  LM1458MX/NOPB  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.5 V/µs, 6V 至 36V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  MC1458D  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.5 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 - 45.0 mA -

供电电流 3.4 mA 3 mA 3.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

耗散功率 - 0.5 W -

共模抑制比 70 dB 70 dB 70dB ~ 90dB

输入补偿漂移 0.00 V/K 0.00 V/K 0.00 V/K

带宽 1 MHz 1 MHz 1 MHz

转换速率 500 mV/μs 500 mV/μs 500 mV/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1 MHz

输入补偿电压 1 mV 1 mV 1 mV

输入偏置电流 80 nA 200 nA 80 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 1 MHz 1 MHz 1 MHz

耗散功率(Max) - 400 mW -

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压 - 6V ~ 36V -

电源电压(Max) 15 V 36 V 30 V

电源电压(Min) - 6 V 10 V

电源电压(DC) - - 18.0 V

功耗 - - 100 mW

上升时间 - - 300 ns

宽度 3.91 mm 3.9 mm 3.91 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - 4.9 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15