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MC33201VDG、MC33201VDR2G、MC33201VD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC33201VDG MC33201VDR2G MC33201VD

描述 MC33201/2/4、NCV33202/4、12V 低噪声、轨对轨输入/输出、高输出驱动、运算放大器,ON SemiconductorON Semiconductor MC33201/2/4、NCV33202/4 运算放大器在输入和输出上提供轨对轨操作。 驱动输入超出电源轨高达 200 mV,输出上无相位反转,并且每个轨的输出可在 50 mV 内摆动。 此轨对轨操作可使您充分利用可用的电源电压范围。 输出电流提升技术提供高输出电流能力,同时保持放大器漏极电流最低。 低噪声、低失真、高转换速率和驱动能力使其特别适用于音频应用。低电压、单电源工作(+1.8 V 和接地至 +12 V 和接地) 输入电压范围包括两个电源轨 两个轨的输出电压摆幅在 50 mV 内 输入信号过载时输出上无相位反转 高输出电流(ISC = 80 mA,典型) 高输出电流(ID = 0.9 mA,典型) 600 W 输出驱动能力 典型增益带宽产品 = 2.2 MHz ### 运算放大器,ON Semiconductor低压,满幅输入/输出轨至轨运算放大器 Rail-to-Rail Operational Amplifiers

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 900 µA 900 µA 900 µA

电路数 1 1 1

转换速率 1.00 V/μs - 1.00 V/μs

增益频宽积 2.2 MHz 2.2 MHz 2.2 MHz

输入补偿电压 13 mV 13 mV 6 mV

输入偏置电流 80 nA 80 nA 80 nA

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

通道数 1 1 -

共模抑制比 60 dB 60 dB -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

共模抑制比(Min) 60 dB 60 dB -

电源电压(Max) - 12V ~ 12.5V -

增益带宽 2.2 MHz - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

高度 1.5 mm 1.5 mm -

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99