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AD8627ARZ、AD8627ARZ-REEL7、TLC277CP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD8627ARZ AD8627ARZ-REEL7 TLC277CP

描述 Analog Devices精密低功耗单电源JFET放大器 Precision Low Power Single-Supply JFET AmplifiersLinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 PDIP-8

电源电压(DC) 13.0 V - 16.0 V

输出电流 10mA @5V 10mA @5V ≤30 mA

供电电流 710 µA 710 µA 1.9 mA

电路数 1 1 2

通道数 1 1 2

针脚数 8 - 8

共模抑制比 66 dB 66 dB 65 dB

带宽 5 MHz - 1.7 MHz

转换速率 5.00 V/μs 5.00 V/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 5 MHz 5 MHz 1.7 MHz

输入阻抗 1.00 TΩ 1.00 TΩ -

输入补偿电压 350 µV 350 µV 250 µV

输入偏置电流 0.25 pA 0.25 pA 0.7 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 5 MHz 5 MHz 2.2 MHz

共模抑制比(Min) 66 dB 66 dB 65 dB

电源电压 5V ~ 26V - 3V ~ 16V

电源电压(Max) 26 V - 16 V

电源电压(Min) 5 V - -

工作电压 - - 3V ~ 16V

耗散功率 - - 1000 mW

输入补偿漂移 - - 1.80 µV/K

耗散功率(Max) - - 1000 mW

长度 5 mm - 9.81 mm

宽度 4 mm - 6.35 mm

高度 1.5 mm - 4.57 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 PDIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

军工级 No No -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -