FGD3N60LSDTM、STGD3NB60SDT4、IRGR3B60KD2TRRP对比区别

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型号 FGD3N60LSDTM STGD3NB60SDT4 IRGR3B60KD2TRRP

描述 IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。STGD3NB60H 系列 600 V 3 A N 沟道 Power Mesh IGBT - D2PAKTrans IGBT Chip N-CH 600V 7.8A 52000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 6.00 A 3.00 A -

耗散功率 40000 mW 48000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V -

反向恢复时间 234 ns 1.7 µs -

额定功率(Max) 40 W 48 W -

耗散功率(Max) 40 W 48000 mW -

上升时间 - 150 µs -

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm 6.2 mm -

高度 2.39 mm - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

工作温度 - 175℃ (TJ) -