工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DPAK
封装 DPAK
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRGR3B60KD2TRRP | International Rectifier 国际整流器 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.8A 52000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRGR3B60KD2TRRP 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.8A 52000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 | |
型号: FGD3N60LSDTM 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-252 600V 6A 40000mW | 类似代替 | IGBT,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | IRGR3B60KD2TRRP和FGD3N60LSDTM的区别 | |
型号: STGD3NB60SDT4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 600V 3A 48000mW | 功能相似 | STGD3NB60H 系列 600 V 3 A N 沟道 Power Mesh IGBT - D2PAK | IRGR3B60KD2TRRP和STGD3NB60SDT4的区别 |