锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRGR3B60KD2TRRP

IRGR3B60KD2TRRP

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.8A 52000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R

IGBT NPT 600V 7.8A 52W Surface Mount D-Pak


得捷:
IGBTWITH ULTRA-FAST SOFT RECOVER


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IRGR3B60KD2TRRP中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DPAK

外形尺寸

封装 DPAK

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRGR3B60KD2TRRP引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRGR3B60KD2TRRP
型号 制造商 描述 购买
IRGR3B60KD2TRRP International Rectifier 国际整流器 Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.8A 52000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R 搜索库存
替代型号IRGR3B60KD2TRRP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRGR3B60KD2TRRP

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装:

当前型号

Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.8A 52000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R

当前型号

型号: FGD3N60LSDTM

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 600V 6A 40000mW

类似代替

IGBT,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IRGR3B60KD2TRRP和FGD3N60LSDTM的区别

型号: STGD3NB60SDT4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 600V 3A 48000mW

功能相似

STGD3NB60H 系列 600 V 3 A N 沟道 Power Mesh IGBT - D2PAK

IRGR3B60KD2TRRP和STGD3NB60SDT4的区别