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SG2003J、SG2003N、SG2003J/883B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SG2003J SG2003N SG2003J/883B

描述 高压中等电流驱动器阵列 HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS高压中等电流驱动器阵列 HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYSCDIP NPN 50V 0.5A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 16 16 -

封装 CDIP-16 CDIP CDIP

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @350mA, 2V - -

封装 CDIP-16 CDIP CDIP

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free - -

香港进出口证 NLR - NLR

ECCN代码 EAR99 - -

工作温度 150℃ (TJ) - -