SG2003J/883B
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
SG2003J/883B中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.5A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 CDIP
外形尺寸
封装 CDIP
其他
产品生命周期 Active
海关信息
香港进出口证 NLR
SG2003J/883B引脚图与封装图
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在线购买SG2003J/883B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SG2003J/883B | Microsemi 美高森美 | CDIP NPN 50V 0.5A | 搜索库存 |
替代型号SG2003J/883B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SG2003J/883B 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | CDIP NPN 50V 0.5A | 当前型号 |
| 型号： SG2003N 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | 高压中等电流驱动器阵列 HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS | SG2003J/883B和SG2003N的区别 |
| 型号： SG2003J 品牌： 美高森美 封装： CDIP NPN | 类似代替 | 高压中等电流驱动器阵列 HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS | SG2003J/883B和SG2003J的区别 |
