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FCPF20N60T、TK20A60U对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FCPF20N60T TK20A60U

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin(3+Tab) TO-220F RailTO-220SIS N-CH 600V 20A

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Toshiba (东芝)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 39 W 45 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

输入电容(Ciss) 3080pF @25V(Vds) 1470pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 39 W 45 W

耗散功率(Max) 39W (Tc) -

额定电压(DC) 600 V -

额定电流 20.0 A -

漏源极电阻 150 mΩ -

极性 N-Channel N-CH

输入电容 3.08 nF -

栅电荷 98.0 nC -

漏源击穿电压 600 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20A

上升时间 140 ns -

下降时间 65 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.67 mm -

宽度 4.7 mm -

高度 16.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended

包装方式 Tape Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -

香港进出口证 - NLR