FCPF20N60T、TK20A60U对比区别
描述 Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin(3+Tab) TO-220F RailTO-220SIS N-CH 600V 20A
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Toshiba (东芝)
分类 MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3
耗散功率 39 W 45 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
输入电容(Ciss) 3080pF @25V(Vds) 1470pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 39 W 45 W
耗散功率(Max) 39W (Tc) -
额定电压(DC) 600 V -
额定电流 20.0 A -
漏源极电阻 150 mΩ -
极性 N-Channel N-CH
输入电容 3.08 nF -
栅电荷 98.0 nC -
漏源击穿电压 600 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20A
上升时间 140 ns -
下降时间 65 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
封装 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.67 mm -
宽度 4.7 mm -
高度 16.3 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended
包装方式 Tape Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 -
香港进出口证 - NLR