极性 N-CH
耗散功率 45 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20A
输入电容Ciss 1470pF @10VVds
额定功率Max 45 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
香港进出口证 NLR
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: TK20A60U 品牌: Toshiba 东芝 封装: | 当前型号 | TO-220SIS N-CH 600V 20A | 当前型号 | |
型号: STF18N65M5 品牌: 意法半导体 封装: TO-220FP N-CH 650V 15A | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | TK20A60U和STF18N65M5的区别 | |
型号: R6020ANX 品牌: 罗姆半导体 封装: TO-220-3 | 功能相似 | 10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | TK20A60U和R6020ANX的区别 | |
型号: FCPF20N60T 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-220-3 N-Channel 600V 20A 150mohms 3.08nF | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin3+Tab TO-220F Rail | TK20A60U和FCPF20N60T的区别 |