锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MC33201DR2G、TS921IDT、MC33201PG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC33201DR2G TS921IDT MC33201PG

描述 MC 系列 1 V/us 12 V 低压 轨对轨 运算放大器 - SOIC-8TS921 系列 12 V 4 MHz 轨对轨 大输出电流 运算放大器低压,满幅输入/输出

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 DIP-8

电源电压(DC) - - 5.00 V

供电电流 900 µA 1 mA 900 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

共模抑制比 90 dB 60 dB 60 dB

带宽 2.2 MHz 4 MHz 2.2 MHz

转换速率 1.00 V/μs 1.30 V/μs 1.00 V/μs

增益频宽积 2.2 MHz 4 MHz 2.2 MHz

输入补偿电压 6 mV 3 mV 6 mV

输入偏置电流 80 nA 15 nA 80 nA

工作温度(Max) 105 ℃ 125 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 2.2 MHz 4 MHz 2.2 MHz

电源电压 1.8V ~ 12V 2.7V ~ 12V 1.8V ~ 12V

电源电压(Max) 12 V 12 V 12 V

电源电压(Min) 1.8 V 2.7 V 1.8 V

无卤素状态 Halogen Free - -

输出电流 80 mA 80 mA -

针脚数 8 8 -

共模抑制比(Min) 60 dB 60 dB -

长度 - 5 mm 9.27 mm

宽度 4 mm 4 mm 6.35 mm

高度 - 1.65 mm 5.33 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 DIP-8

工作温度 -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99