TLE2082ACD、TLE2082ACDG4、AD712JR对比区别
型号 TLE2082ACD TLE2082ACDG4 AD712JR
描述 JFET 输入运算放大器，Excalibur TLE 系列与早期系列的 JFET 输入放大器相比，Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器，与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比，带宽加倍，但功耗无显著增加；此外，它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比，TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍，转换速率是其三倍，且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。### 运算放大器，Texas Instruments神剑高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS双路精密，低成本，高速， BiFET运算放大器 Dual Precision, Low Cost, High Speed, BiFET Op Amp
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ADI (亚德诺)
分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
输出电流 ≤80 mA ≤80 mA -
供电电流 3.1 mA 3.1 mA 5 mA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
耗散功率 0.725 W 0.725 W -
共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB
输入补偿漂移 2.40 µV/K 2.40 µV/K -
带宽 9.40 MHz 9.40 MHz 4.00 MHz
转换速率 40.0 V/μs 40.0 V/μs 20.0 µV/μs
增益频宽积 9.4 MHz 9.4 MHz 4.00 MHz
输入补偿电压 4 mV 700 µV 300 µV
输入偏置电流 20 pA 20 pA 25 pA
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
增益带宽 10 MHz - -
耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -
共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB
电源电压(Max) - 38 V -
电源电压(Min) - 4.5 V -
输入电容 - - 5.50 pF
输入阻抗 - - 3.00 TΩ
3dB带宽 - - 4 MHz
长度 4.9 mm - -
宽度 3.91 mm - -
高度 1.58 mm - 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
军工级 - - Yes