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TLC27M2BIDG4、TLV2262ID、TLC27M2BIDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC27M2BIDG4 TLV2262ID TLC27M2BIDR

描述 ?????????路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  TLV2262ID  运算放大器, 双路, 710 kHz, 2个放大器, 0.55 V/µs, 2.7V 至 8V, SOIC, 8 引脚?????????路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤30 mA ≤50 mA -

供电电流 285 µA 400 µA 285 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 0.725 W 0.725 W 0.725 W

共模抑制比 65 dB 70 dB 65 dB

输入补偿漂移 1.70 µV/K 2.00 µV/K 1.70 µV/K

带宽 525 kHz 710 kHz 525 kHz

转换速率 460 mV/μs 550 mV/μs 460 mV/μs

增益频宽积 0.525 MHz 710 kHz 0.525 MHz

输入补偿电压 224 µV 300 µV 224 µV

输入偏置电流 0.7 pA 1 pA 0.7 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.525 MHz 0.71 MHz 0.525 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 65 dB 70 dB 65 dB

电源电压 - 2.7V ~ 8V 3V ~ 16V

电源电压(Max) - - 16 V

电源电压(Min) - - 4 V

针脚数 - 8 -

过温保护 - No -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.5 mm

长度 - 4.9 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - - EAR99