AD820BRZ、MC33171DG、TLE2061AID对比区别

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型号 AD820BRZ MC33171DG TLE2061AID

描述 ANALOG DEVICES  AD820BRZ  运算放大器, 单路, 1.8 MHz, 1个放大器, 3 V/µs, ± 2.5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚ON SEMICONDUCTOR  MC33171DG  运算放大器, 单路, 1.8 MHz, 1个放大器, 2.1 V/µs, ± 1.5V 至 ± 22V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  TLE2061AID  运算放大器, 单路, 1.8 MHz, 1个放大器, 3.4 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 44.0 V 18.0 V

无卤素状态 - Halogen Free -

供电电流 700 µA 220 µA 290 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 8 8 8

共模抑制比 80 dB 80 dB 65 dB

带宽 1.8 MHz 1.8 MHz 1.8 MHz

转换速率 3.00 V/μs 2.10 V/μs 3.40 V/μs

增益频宽积 1.8 MHz 1.8 MHz 1.8 MHz

输入补偿电压 300 µV 2 mV 500 µV

输入偏置电流 2 pA 20 nA 4 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 1.9 MHz 1.8 MHz 2 MHz

共模抑制比(Min) 72 dB 80 dB 65 dB

电源电压(Max) 30 V 44 V -

电源电压(Min) 5 V 3 V -

耗散功率 1 W - -

输入电容 2.80 pF - -

输入阻抗 10.0 TΩ - -

耗散功率(Max) 1000 mW - -

电源电压 5V ~ 36V - -

输出电流 - - ≤80 mA

输入补偿漂移 - - 6.00 µV/K

长度 5 mm 5 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 4 mm 3.91 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

军工级 No - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -