锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

THS4150ID、THS4150IDR、THS4150CD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS4150ID THS4150IDR THS4150CD

描述 高速差分I / O放大器 HIGH-SPEED DIFFERENTIAL I/O AMPLIFIERS差分放大器 Fully Diff I/O High Slew Rate高速差分I / O放大器 HIGH-SPEED DIFFERENTIAL I/O AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 45mA @5V 45mA @5V 45mA @5V

供电电流 17.5 mA 17.5 mA 17.5 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 1020 mW 1020 mW 1.02 W

共模抑制比 75 dB - 75 dB

输入补偿漂移 7.00 µV/K - 7.00 µV/K

带宽 150 MHz 150 MHz 150 MHz

转换速率 650 V/μs 650 V/μs 650 V/μs

增益频宽积 340 MHz 340 MHz 340 MHz

输入补偿电压 1.1 mV 1.1 mV 1.1 mV

输入偏置电流 4.3 µA 4.3 µA 4.3 µA

可用通道 S S S

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

3dB带宽 150 MHz 150 MHz 150 MHz

增益带宽 340 MHz 340 MHz 340 MHz

耗散功率(Max) 1020 mW 1020 mW 1020 mW

共模抑制比(Min) 75dB ~ 85dB 75dB ~ 85dB 75 dB

电源电压(Max) 30V ~ 50V 30V ~ 50V 30V ~ 50V

电源电压(Min) 4 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free