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BQ2201SNG4、BQ2201SNTR、BQ2201SN-N对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ2201SNG4 BQ2201SNTR BQ2201SN-N

描述 Nonvolatile Controller 4.5V to 5.5V 8Pin SOIC Tube存储器控制器 SRAM Nonvolatile Controller ICSRAM 非易失控制器,Texas InstrumentsSRAM 非易失控制器提供将标准 CMOS SRAM 转换为非易失性读/写存储器的所有必要功能。### 电池管理,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电源监控芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V 5.00 V

输出电流 0.16 A 0.16 A 0.16 A

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.5 V

工作电压 5.00 V - -

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99