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93LC66B-I/ST、BR93L66RFV-WE2、BR93L66RFVT-WE2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 93LC66B-I/ST BR93L66RFV-WE2 BR93L66RFVT-WE2

描述 93AA66B/93C66B/93LC66B Microwire 串行 EEPROMMicrochip 的 93AA66B/93C66B/93LC66B 系列设备为 4K 位 Microwire 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。### 特点16 位 x 256 组织 自定时擦除/写入循环(包括自动擦除) 写入所有 (WRAL) 前自动擦除所有 (ERAL) 电源接通/关闭数据保护电路 工业标准 3 线串行输入/输出 设备状态信号(就绪/繁忙) 顺序读取功能 100 万次擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip高可靠性串行EEPROM高可靠性系列 High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series高可靠性串行EEPROM高可靠性系列 High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 EEPROM芯片EEPROM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 TSSOP-8 LSSOP-8 TSSOP-8

频率 2 MHz 2 MHz 2 MHz

供电电流 2 mA 4.5 mA 4.5 mA

存取时间 6 ms 200 ns 200 ns

存取时间(Max) 250 ns 200 ns 200 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 5.5V 1.8V ~ 5.5V 1.8V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 2.5 V 1.8 V 1.8 V

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) -

时钟频率 2 MHz 2.00 MHz, 2.00 MHz (max) -

内存容量 500 B 4000 B -

工作电压 2.5V ~ 5.5V - -

封装 TSSOP-8 LSSOP-8 TSSOP-8

宽度 3.1 mm 4.4 mm -

长度 4.5 mm - -

高度 1.05 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -