BR93L66RFV-WE2
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
主动器件
BR93L66RFV-WE2中文资料参数规格
技术参数
频率 2 MHz
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
供电电流 4.5 mA
时钟频率 2.00 MHz, 2.00 MHz max
存取时间 200 ns
内存容量 4000 B
存取时间Max 200 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.8V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 1.8 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 LSSOP-8
外形尺寸
宽度 4.4 mm
封装 LSSOP-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BR93L66RFV-WE2引脚图与封装图
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在线购买BR93L66RFV-WE2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BR93L66RFV-WE2 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 高可靠性串行EEPROM高可靠性系列 High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series | 搜索库存 |
替代型号BR93L66RFV-WE2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BR93L66RFV-WE2 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 8SSOPB 4000B 5V 2MHz 8Pin | 当前型号 | 高可靠性串行EEPROM高可靠性系列 High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series | 当前型号 |
| 型号： BR93L66RFVT-WE2 品牌： 罗姆半导体 封装： 8TSSOP-B | 完全替代 | 高可靠性串行EEPROM高可靠性系列 High Reliability Serial EEPROMs High Reliability Series | BR93L66RFV-WE2和BR93L66RFVT-WE2的区别 |
| 型号： 93LC66B-I/ST 品牌： 微芯 封装： TSSOP 500B 5V 3MHz 8Pin | 功能相似 | 93AA66B/93C66B/93LC66B Microwire 串行 EEPROMMicrochip 的 93AA66B/93C66B/93LC66B 系列设备为 4K 位 Microwire 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。### 特点16 位 x 256 组织 自定时擦除/写入循环（包括自动擦除） 写入所有 WRAL 前自动擦除所有 ERAL 电源接通/关闭数据保护电路 工业标准 3 线串行输入/输出 设备状态信号（就绪/繁忙） 顺序读取功能 100 万次擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip | BR93L66RFV-WE2和93LC66B-I/ST的区别 |