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IKP10N60T、IRGB4060DPBF、IRG4BC20SD-SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IKP10N60T IRGB4060DPBF IRG4BC20SD-SPBF

描述 INFINEON  IKP10N60T  单晶体管, IGBT, 通用, 20 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 引脚Co-Pack IGBT 高达 20A,InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3

额定功率 110 W 99 W 60 W

耗散功率 110 W 99 W 60 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 115 ns 60 ns 37 ns

额定功率(Max) 110 W 99 W 60 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110 W 99000 mW 60000 mW

针脚数 3 - -

极性 N-Channel - -

长度 10.36 mm 10.66 mm 10.67 mm

宽度 4.57 mm 4.82 mm 9.65 mm

高度 15.95 mm 9.02 mm 4.83 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3

工作温度 -40℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -