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IRG4BC20SD-SPBF

IRG4BC20SD-SPBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3Pin2+Tab D2PAK Tube

IGBT 600V 19A 60W Surface Mount D2PAK


得捷:
IGBT 600V 19A 60W D2PAK


贸泽:
IGBT Transistors 600V DC-1kHz


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 3-Pin2+Tab D2PAK


TME:
Transistor: IGBT; 600V; 19A; 60W; D2PAK


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


Win Source:
IGBT 600V 19A 60W D2PAK


IRG4BC20SD-SPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 60 W

耗散功率 60 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 37 ns

额定功率Max 60 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRG4BC20SD-SPBF引脚图与封装图
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在线购买IRG4BC20SD-SPBF
型号 制造商 描述 购买
IRG4BC20SD-SPBF Infineon 英飞凌 Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3Pin2+Tab D2PAK Tube 搜索库存
替代型号IRG4BC20SD-SPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IRG4BC20SD-SPBF

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-263-3 60000mW

当前型号

Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3Pin2+Tab D2PAK Tube

当前型号

型号： IRG4BC20SD-S

品牌： 英飞凌

封装： D2PAK

完全替代

Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3Pin2+Tab D2PAK Tube

IRG4BC20SD-SPBF和IRG4BC20SD-S的区别

型号： IKP10N60T

品牌： 英飞凌

封装： TO-220-3 110W

功能相似

INFINEON  IKP10N60T  单晶体管, IGBT, 通用, 20 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

IRG4BC20SD-SPBF和IKP10N60T的区别