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TLV2621ID、TLV2621IDG4、TLV2621IDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2621ID TLV2621IDG4 TLV2621IDR

描述 系列低功耗高带宽单电源运算放大器,带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN系列低功耗高带宽单电源运算放大器,带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN系列低功耗高带宽单电源运算放大器,带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 800 µA 800 µA 800 µA

电路数 1 1 1

输入补偿漂移 3.00 µV/K - 3.00 µV/K

带宽 11.0 MHz 11.0 MHz 11.0 MHz

转换速率 9.50 V/μs 9.50 V/μs 6.00 V/μs

增益频宽积 11 MHz 11 MHz 11 MHz

输入补偿电压 250 µV 250 µV 250 µV

输入偏置电流 2 pA 2 pA 2 pA

增益带宽 11 MHz - 11 MHz

输出电流 - - 28mA @5V

通道数 - - 1

耗散功率 - - 710 mW

共模抑制比 - - 78 dB

过温保护 - - No

工作温度(Max) - - 125 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

耗散功率(Max) - - 710 mW

共模抑制比(Min) - - 78 dB

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free