FM21L16-60-TG、FM21L16-60-TGTR、FM22L16-55-TGTR对比区别
型号 FM21L16-60-TG FM21L16-60-TGTR FM22L16-55-TGTR
描述 F-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。FRAM 2Mbit Parallel 3.3V 44Pin TSOP-II T/RFM22L16 Series 4Mb (256K x 16) 3V 55ns Parallel F-RAM Memory - TSOP-44
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 44 44 44
封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44
供电电流 12 mA - 8 mA
存取时间 60 ns - 55 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
耗散功率 - - 1 W
存取时间(Max) - 60 ns 55 ns
长度 18.41 mm - -
宽度 10.16 mm - -
高度 1.2 mm - -
封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99