存取时间Max 60 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
安装方式 Surface Mount
引脚数 44
封装 TSOP-44
封装 TSOP-44
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FM21L16-60-TGTR | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | FRAM 2Mbit Parallel 3.3V 44Pin TSOP-II T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FM21L16-60-TGTR 品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装: FBGA | 当前型号 | FRAM 2Mbit Parallel 3.3V 44Pin TSOP-II T/R | 当前型号 | |
型号: FM21L16-60-TG 品牌: 赛普拉斯 封装: FBGA | 完全替代 | F-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。 | FM21L16-60-TGTR和FM21L16-60-TG的区别 | |
型号: FM22L16-55-TG 品牌: 赛普拉斯 封装: FBGA | 功能相似 | F-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。 | FM21L16-60-TGTR和FM22L16-55-TG的区别 | |
型号: FM22L16-55-TGTR 品牌: 赛普拉斯 封装: FBGA | 功能相似 | FM22L16 Series 4Mb 256K x 16 3V 55ns Parallel F-RAM Memory - TSOP-44 | FM21L16-60-TGTR和FM22L16-55-TGTR的区别 |