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FM21L16-60-TGTR

FM21L16-60-TGTR

数据手册.pdf

FRAM 2Mbit Parallel 3.3V 44Pin TSOP-II T/R

FRAM Ferroelectric RAM Memory IC 2Mb 128K x 16 Parallel 110ns 44-TSOP II


得捷:
IC FRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II


艾睿:
FRAM 2Mbit Parallel Interface 3.3V 44-Pin TSOP-II T/R


安富利:
NVRAM FRAM Parallel 2M-Bit 44-Pin TSOP-II


Chip1Stop:
NVRAM FRAM Parallel 2M-Bit 3.3V 44-Pin TSOP-II


Win Source:
IC FRAM 2MBIT 60NS 44TSOP


FM21L16-60-TGTR中文资料参数规格
技术参数

存取时间Max 60 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP-44

外形尺寸

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FM21L16-60-TGTR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FM21L16-60-TGTR Cypress Semiconductor 赛普拉斯 FRAM 2Mbit Parallel 3.3V 44Pin TSOP-II T/R 搜索库存
替代型号FM21L16-60-TGTR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FM21L16-60-TGTR

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: FBGA

当前型号

FRAM 2Mbit Parallel 3.3V 44Pin TSOP-II T/R

当前型号

型号: FM21L16-60-TG

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

完全替代

F-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。

FM21L16-60-TGTR和FM21L16-60-TG的区别

型号: FM22L16-55-TG

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

功能相似

F-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。

FM21L16-60-TGTR和FM22L16-55-TG的区别

型号: FM22L16-55-TGTR

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

功能相似

FM22L16 Series 4Mb 256K x 16 3V 55ns Parallel F-RAM Memory - TSOP-44

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