IXFH13N100、IXFK64N50P、SPB20N60C3对比区别

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型号 IXFH13N100 IXFK64N50P SPB20N60C3

描述 TO-247AD N-CH 1000V 12.5AIXYS SEMICONDUCTOR  IXFK64N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 500 V, 85 mohm, 10 V, 5.5 VINFINEON  SPB20N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-263-3

额定电压(DC) - 500 V 650 V

额定电流 - 64.0 A 20.7 A

额定功率 - - 208 W

通道数 1 - 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 900 mΩ 0.085 Ω 190 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 830 W 208 W

阈值电压 - 5.5 V 3 V

输入电容 - 8.70 nF 4.50 nF

漏源极电压(Vds) 1000 V 500 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 12.5A 64.0 A 20.7 A

上升时间 33 ns - 5 ns

输入电容(Ciss) 4000pF @25V(Vds) 8700pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 830 W 208 W

下降时间 32 ns - 4.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

工作结温(Max) - - 150 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 830W (Tc) 208W (Tc)

漏源击穿电压 1000 V 500 V -

栅电荷 - 150 nC -

长度 16.26 mm - 10.31 mm

宽度 5.3 mm - 9.25 mm

高度 21.46 mm - 4.57 mm

封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99