2N7002LT1G、BSS123、2N7002TA对比区别

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型号 2N7002LT1G BSS123 2N7002TA

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N7002LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 VBSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 marking/标记 SA 快速开关/逻辑电平兼容DIODES INC.  2N7002TA  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 115 mA - 115 mA

漏源极电阻 7.5 Ω - 7.5 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 200 mW - 330 mW

阈值电压 2.5 V - 2.5 V

漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V

漏源击穿电压 60 V - 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±40.0 V

连续漏极电流(Ids) 115 mA - 115 mA

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) - 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 225 mW - 330 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

耗散功率(Max) 225mW (Ta) - 330mW (Ta)

额定功率 0.225 W - -

无卤素状态 Halogen Free - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

正向电压(Max) 1.5 V - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

长度 2.9 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.94 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99