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MMSF3300、NTUD3169CZT5G、FDC655BN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMSF3300 NTUD3169CZT5G FDC655BN

描述 SINGLE TMOS POWER MOSFET 30 VOLTS RDS(on) = 12.5mΩON SEMICONDUCTOR  NTUD3169CZT5G.  场效应管, MOSFET, N+P沟道, 20V, SOT-963FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC655BN  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 Motorola (摩托罗拉) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 6

封装 - SOT-963-6 TSOT-23-6

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 6.30 A

针脚数 - 6 6

漏源极电阻 - 0.75 Ω 0.021 Ω

极性 - N-Channel, P-Channel N-Channel

耗散功率 - 125 mW 1.6 W

阈值电压 - 1 V 1.9 V

输入电容 - - 570 pF

栅电荷 - - 10.0 nC

漏源极电压(Vds) - 20 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 280 mA 6.30 A

上升时间 - - 4 ns

输入电容(Ciss) - 12.5pF @15V(Vds) 570pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 125 mW 800 mW

下降时间 - - 3 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 200 mW 1.6 W

通道数 - 2 -

长度 - 1.05 mm 3 mm

宽度 - 0.85 mm 1.7 mm

高度 - 0.4 mm 1 mm

封装 - SOT-963-6 TSOT-23-6

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99